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Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFL44N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
22A
240 m Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
ISOPLUS i5-Pak TM (HV)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
1000
1000
± 30
± 40
22
V
V
V
V
A
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
110
22
A
A
G
S
D
E AS
dV/dt
P D
T J
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
2
15
357
-55 ... +150
J
V/ns
W
° C
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
Maximum lead temperature for soldering
Plastic body for 10s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting force
150
-55 ... +150
300
260
2500
3000
40..120/4.5..27
8
° C
° C
° C
° C
V~
V~
N/lb.
g
? Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
? Low drain to tab capacitance(<30pF)
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Fast intrinsic Rectifier
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 3mA
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
1000 V
?
?
?
?
?
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC-DC converters
Laser Drivers
AC and DC motor controls
Robotics and servo controls
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.5
6.5
V
Advantages
I GSS
I DSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
± 200 nA
50 μ A
3 mA
?
?
?
Easy assembly
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 22A, Note 1
240 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99893A(4/08)
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